Справочник электронных компонентов

Транзистор AP10N6R0S

AP10N6R0S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 95 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 68 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 630 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10N6R0S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP10TN6R0P	PTH	N	104	100	20	4	95	0.006	-	68	630	150	TO-220
IPT059N15N3	SMD	N	375	150	20	4	155	0.0059	-	35	630	175	HSOF-8
IRFB4310ZGPBF	PTH	N	250	100	20	4	120	0.006	120	60	490	175	TO-220AB
IRFB4310ZPBF	PTH	N	250	100	20	4	120	0.006	120	60	490	175	TO-220AB
IRFP4310ZPBF	PTH	N	280	100	20	4	120	0.006	170	60	490	175	TO-247AC
IRFS4310ZPBF	SMD	N	250	100	20	4	120	0.006	120	60	490	175	TO-263
IRFSL4310ZPBF	PTH	N	250	100	20	4	120	0.006	120	60	490	175	TO-262
PSMN5R6-100BS	SMD	N	306	100	20	4	100	0.0056	141	46	561	175	D2PAK