Транзистор AP10N7R5H
AP10N7R5H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 78 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 97 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 870 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP10N7R5H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP92LT10GP-HF |
PTH |
N |
138 |
100 |
20 |
5 |
97 |
0.0065 |
145 |
85 |
400 |
150 |
TO-220 |