Транзистор AP10P10GJ

AP10P10GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 32.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10P10GJ можно заменить на:

Нет элементов для замены