Справочник электронных компонентов

Транзистор AP10TN010CMT

AP10TN010CMT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: PMPAK5X6

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 65 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 625 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10TN010CMT можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP10TN008CMT	SMD	N	5	100	20	4	18.4	0.0079	-	42	590	150	PMPAK5X6
AP10TN008CMT-L	SMD	N	5	100	20	4	18.4	0.0079	-	42	590	150	PMPAK5X6L
IRFI4410ZGPBF	PTH	N	47	100	30	4	43	0.0093	110	27	330	175	TO-220F
IRFI4410ZPBF	PTH	N	47	100	30	4	43	0.0093	110	27	330	175	TO-220F
STF130N10F3	PTH	N	35	100	20	4	46	0.0096	57	38	373	175	TO-220FP
STFI130N10F3	PTH	N	35	100	20	4	46	0.0096	57	38	373	175	I2PAKFP
TK34A10N1	PTH	N	35	100	20	4	34	0.0095	38	12	450	150	TO-220SIS
TK40A10N1	PTH	N	35	100	20	4	40	0.0082	49	14	520	150	TO-220SIS
TK42A12N1	PTH	N	35	120	20	4	42	0.0094	52	18	490	150	TO-220SIS