Транзистор AP10TN028YT

AP10TN028YT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PMPAK3X3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP10TN028YT можно заменить на:

Нет элементов для замены