Транзистор AP10TN040H
AP10TN040H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 107.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 31.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AP10TN040H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB4615PBF |
PTH |
N |
144 |
150 |
20 |
5 |
35 |
0.039 |
26 |
35 |
155 |
175 |
TO-220AB |
| IRFB5615PBF |
PTH |
N |
144 |
150 |
20 |
5 |
35 |
0.039 |
26 |
23.1 |
155 |
175 |
TO-220AB |
| SUD50N10-18P |
SMD |
N |
136.4 |
100 |
20 |
5 |
50 |
0.0185 |
48 |
10 |
230 |
175 |
TO-252 |