Транзистор AP10TN135H
AP10TN135H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 27 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP10TN135H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP10TN135J |
PTH |
N |
20.8 |
100 |
20 |
3 |
8.1 |
0.135 |
- |
8 |
27 |
150 |
TO-251 |
| AP10TN135JB |
PTH |
N |
20.8 |
100 |
20 |
3 |
8.1 |
0.135 |
- |
8 |
27 |
150 |
TO-251S |
| AP10TN135P |
PTH |
N |
20.8 |
100 |
20 |
3 |
8.1 |
0.135 |
- |
8 |
27 |
150 |
TO-220 |