Транзистор AP1203AGMT-HF
AP1203AGMT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 27.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 37 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP1203AGMT-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB12N03J3 |
SMD |
N |
35 |
30 |
20 |
- |
40 |
0.0085 |
- |
6 |
123 |
150 |
TO-252 |
| QM4004D |
SMD |
N |
34.7 |
40 |
20 |
2.5 |
42 |
0.0115 |
10.7 |
3.4 |
120 |
150 |
TO-252 |
| STN4110 |
SMD и PTH |
N |
63 |
60 |
20 |
3 |
40 |
0.012 |
29 |
6.5 |
105 |
175 |
TO-251,TO-252 |