Транзистор AP15P10GJ
AP15P10GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 96 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP15P10GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP15P10GH |
SMD |
P |
96 |
100 |
20 |
3 |
15 |
0.23 |
- |
25 |
250 |
- |
TO-252 |
| AP15P10GP |
PTH |
P |
96 |
100 |
20 |
3 |
15 |
0.23 |
37 |
25 |
250 |
150 |
TO-220 |
| AP15P10GP-HF |
PTH |
P |
96 |
100 |
20 |
3 |
15 |
0.23 |
- |
25 |
250 |
150 |
TO-220 |
| AP15P10GS-HF |
SMD |
P |
96 |
100 |
20 |
3 |
15 |
0.23 |
- |
25 |
250 |
150 |
TO-263 |