Транзистор AP15TP1R0Y

AP15TP1R0Y - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-26

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 33 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP15TP1R0Y можно заменить на:

Нет элементов для замены