Транзистор AP18P10GH-HF
AP18P10GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP18P10GH-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP18P10GH |
SMD |
P |
35.7 |
100 |
20 |
3 |
12 |
0.18 |
- |
14 |
110 |
150 |
TO-252 |
| AP18P10GJ |
PTH |
P |
35.7 |
100 |
20 |
3 |
12 |
0.18 |
- |
14 |
110 |
150 |
TO-251 |
| AP18P10GJ-HF |
PTH |
P |
35.7 |
100 |
20 |
3 |
12 |
0.18 |
- |
14 |
110 |
150 |
TO-251 |
| AP18P10GS |
SMD |
P |
35.7 |
100 |
20 |
3 |
12 |
0.16 |
- |
14 |
110 |
150 |
TO-263 |