Транзистор AP1A003P

AP1A003P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 189 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0021 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1320 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор AP1A003P можно заменить на:

Нет элементов для замены