Транзистор AP20P02GJ
AP20P02GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 410 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP20P02GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP20P02GH |
SMD |
P |
31.25 |
20 |
12 |
0.5 |
18 |
0.052 |
- |
20 |
410 |
150 |
TO-252 |
| SSM20P02GH |
SMD |
P |
31.25 |
20 |
12 |
0.5 |
18 |
0.052 |
13.5 |
20 |
410 |
150 |
TO-252 |
| SSM20P02GJ |
PTH |
P |
31.25 |
20 |
12 |
0.5 |
18 |
0.052 |
13.5 |
20 |
410 |
150 |
TO-251 |