Транзистор AP20T03GH
AP20T03GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 12.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP20T03GH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOI4102 |
PTH |
N |
21 |
30 |
20 |
3 |
19 |
0.037 |
- |
10 |
45 |
175 |
TO-251A |
| AP20T03GJ |
PTH |
N |
12.5 |
30 |
20 |
3 |
12.5 |
0.05 |
- |
30 |
70 |
- |
TO-251 |
| MDD1951RH |
SMD |
N |
32.8 |
60 |
20 |
3 |
17.9 |
0.042 |
- |
15.2 |
70 |
150 |
TO-252 |
| STN4102 |
SMD и PTH |
N |
25 |
30 |
20 |
3 |
15 |
0.032 |
7 |
3.7 |
60 |
150 |
TO-251,TO-252 |