Справочник электронных компонентов

Транзистор AP2302GN

AP2302GN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 37 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP2302GN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP2N030EY	SMD	N	2	20	12	1.2	6.3	0.03	-	12	65	150	SOT-26
PJS6414	SMD	N	2	20	12	1.2	6.6	0.036	4.1	10	54	150	SOT-23-6L
PMPB33XN	SMD	N	1.5	30	12	1.2	4.3	0.047	5.1	17	57	150	DFN2020MD-6
QM2410G	SMD	N	1.5	20	12	1.2	5.1	0.037	8.5	35	70	150	SOT-223
QM2410J	SMD	N	1.5	20	12	1.2	5.1	0.037	8.5	35	70	150	SOT-89
QM2410S	SMD	N	1.5	20	12	1.2	6.2	0.025	9.5	32	70	150	SOP-8
SSM2312GN	SMD	N	1.38	20	12	1.2	4.3	0.036	5	9	75	150	SOT-23
SSM2314GN	SMD	N	1.38	20	12	1.2	3.5	0.075	4	8	55	150	SOT-23
STN4546	SMD	N	2.5	40	12	1.2	6	0.048	10	6	80	150	SOP-8