Транзистор AP25T03GJ
AP25T03GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 105 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP25T03GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6N023H |
SMD |
N |
31.2 |
60 |
20 |
3 |
25.4 |
0.023 |
- |
20 |
100 |
150 |
TO-252 |
| AP9962AGH |
SMD |
N |
27.8 |
40 |
20 |
3 |
32 |
0.02 |
- |
46 |
95 |
150 |
TO-252 |
| AP9962AGH-HF |
SMD |
N |
27.8 |
40 |
20 |
3 |
32 |
0.02 |
- |
46 |
95 |
150 |
TO-252 |
| QM4002AD |
SMD |
N |
25 |
40 |
20 |
3 |
23 |
0.028 |
12 |
32.6 |
61.5 |
150 |
TO-252 |