Транзистор AP2613GYT-HF
AP2613GYT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.12 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 615 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2613GYT-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4423 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.6 |
17 |
0.0072 |
47 |
8 |
583 |
150 |
SO-8 |
| AP2611GYT-HF |
SMD |
P |
3.12 |
20 |
12 |
- |
15.4 |
0.008 |
50 |
22 |
615 |
150 |
PMPAK3X3 |