Транзистор AP2N050H
AP2N050H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 17.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 29 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2N050H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM2410D |
SMD |
N |
21 |
20 |
12 |
1.2 |
22 |
0.025 |
9.4 |
29 |
70 |
150 |
TO-252 |
| QM2702D |
SMD |
N |
25 |
20 |
16 |
1.2 |
28 |
0.02 |
9.8 |
12.2 |
83 |
150 |
TO-252 |
| QM2710D |
SMD |
N |
21 |
20 |
16 |
1.2 |
22 |
0.028 |
8.5 |
28.6 |
68.7 |
150 |
TO-252 |