Транзистор AP2N075EN
AP2N075EN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2N075EN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PJA3414 |
SMD |
N |
1.25 |
20 |
12 |
1.2 |
5.2 |
0.036 |
4.1 |
10 |
54 |
150 |
SOT-23 |
| PJS6414 |
SMD |
N |
2 |
20 |
12 |
1.2 |
6.6 |
0.036 |
4.1 |
10 |
54 |
150 |
SOT-23-6L |
| SSM2314GN |
SMD |
N |
1.38 |
20 |
12 |
1.2 |
3.5 |
0.075 |
4 |
8 |
55 |
150 |
SOT-23 |