Транзистор AP2N1K2EN1
AP2N1K2EN1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-723
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 14 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2N1K2EN1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM1400NE |
SMD |
N |
1.3 |
150 |
20 |
1 |
1 |
1.1 |
3 |
5 |
14 |
150 |
SC-70 |
| AM2394NE |
SMD |
N |
1.3 |
150 |
20 |
1 |
0.9 |
1.2 |
3 |
5 |
14 |
150 |
SOT-23 |
| AO5404E |
SMD |
N |
0.38 |
20 |
8 |
1 |
0.5 |
0.55 |
- |
3.3 |
8 |
150 |
SC-89 |
| AON1606 |
SMD |
N |
0.9 |
20 |
8 |
1 |
0.7 |
0.275 |
- |
4 |
12.5 |
150 |
DFN1.0X0.6A |
| RE1C002UN |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.2 |
1.2 |
- |
10 |
10 |
150 |
EMT3F |
| RUE002N02TL |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.2 |
1.2 |
- |
10 |
10 |
150 |
EMT3 |
| RUE003N02TL |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.3 |
1 |
- |
10 |
10 |
150 |
EMT3 |
| RUM002N02T2L |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.2 |
1.2 |
- |
10 |
10 |
150 |
VMT3 |
| RUM003N02T2L |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.3 |
1 |
- |
10 |
10 |
150 |
VMT3 |
| SI1300BDL |
SMD |
N |
0.2 |
20 |
8 |
1 |
0.4 |
0.85 |
- |
10 |
13 |
150 |
SC-70 |
| SI3134K |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
12 |
1 |
0.75 |
0.38 |
- |
4.8 |
13 |
150 |
SOT-723 |
| SSM3K35CTC |
SMD |
N |
0.5 |
20 |
10 |
1 |
0.25 |
1.1 |
0.34 |
2 |
6 |
150 |
CST3C |