Транзистор AP2N3R7LYT

AP2N3R7LYT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PMPAK3X3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.13 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 23.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0037 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 780 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP2N3R7LYT можно заменить на:

Нет элементов для замены