Транзистор AP2P052N
AP2P052N - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2P052N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM2347P |
SMD |
P |
1.3 |
40 |
20 |
1 |
4.8 |
0.039 |
15 |
3 |
105 |
150 |
SOT-23 |
| AM9435P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
6.5 |
0.049 |
7.7 |
5 |
120 |
150 |
SO-8 |
| AP2P052Y |
SMD |
P |
2 |
20 |
8 |
1 |
5.1 |
0.052 |
- |
14 |
120 |
150 |
SOT-26 |