Транзистор AP2R403AGMT-HF
AP2R403AGMT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 36.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 81 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 810 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2R403AGMT-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6782 |
SMD |
N |
83 |
30 |
12 |
2 |
85 |
0.0024 |
42 |
7 |
600 |
150 |
DFN5X6 |