Транзистор AP2R803GJB
AP2R803GJB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 790 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP2R803GJB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP2R803GH |
SMD |
N |
104 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.0028 |
- |
80 |
790 |
150 |
TO-252 |
| AP2R803GS-HF |
SMD |
N |
104 |
30 |
20 |
3 |
80 |
0.0028 |
- |
80 |
790 |
150 |
TO-263 |