Транзистор AP2R803GMT-HF
AP2R803GMT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 105 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP2R803GMT-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP2RA04GMT-HF |
SMD |
N |
83.3 |
40 |
20 |
- |
130 |
0.0029 |
- |
8 |
615 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP3R303GMT-HF |
SMD |
N |
56.8 |
30 |
20 |
- |
105 |
0.0033 |
- |
5.5 |
440 |
150 |
PMPAK5X6 |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |
| RU30106L |
SMD |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
130 |
0.003 |
- |
25 |
530 |
175 |
TO-252 |