Транзистор AP30P10GH
AP30P10GH - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP30P10GH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP30P10GS |
SMD |
P |
89 |
100 |
20 |
3 |
25 |
0.08 |
50 |
33 |
185 |
150 |
TO-263 |
| AP30P10GS-HF |
SMD |
P |
89 |
100 |
20 |
3 |
25 |
0.08 |
- |
33 |
185 |
150 |
TO-263 |