Транзистор AP30T10GM-HF
AP30T10GM-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP30T10GM-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4292 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
2.7 |
8 |
0.023 |
- |
3 |
95 |
150 |
SO-8 |
| AOTF2916L |
PTH |
N |
23.5 |
100 |
20 |
2.7 |
17 |
0.034 |
- |
3.5 |
68 |
175 |
TO-220F |
| AP30T10GK-HF |
SMD |
N |
2.78 |
100 |
20 |
- |
4.8 |
0.055 |
- |
6.5 |
115 |
150 |
SOT-223 |
| MTB55N10Q8 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
- |
4.5 |
0.055 |
- |
4 |
71 |
150 |
SOP-8 |
| MTD55N10Q8 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
- |
4.9 |
0.052 |
- |
4 |
78 |
150 |
SOP-8 |