Транзистор AP3N028EY
AP3N028EY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-26
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N028EY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3N018EYT |
SMD |
N |
3.12 |
30 |
20 |
3 |
10.3 |
0.018 |
- |
8 |
95 |
150 |
PMPAK3X3 |
| MMN4414 |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
3 |
8.5 |
0.026 |
7.58 |
3.12 |
86.16 |
150 |
SOP-8 |
| SK830321KL |
SMD |
N |
13 |
30 |
20 |
3 |
7 |
0.024 |
3.9 |
3 |
69 |
150 |
HSSO8-F1-B |