Транзистор AP3N1R7CYT

AP3N1R7CYT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PDFN3.3X3.3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.12 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.00188 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 710 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP3N1R7CYT можно заменить на:

Нет элементов для замены