Транзистор AP3N1R8MT
AP3N1R8MT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.00189 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 820 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N1R8MT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3N1R8MT-L |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
40.6 |
0.00189 |
- |
12 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |