Транзистор AP3N1R8P
AP3N1R8P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AP3N1R8P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQM120N04-1M7L |
SMD |
N |
375 |
40 |
20 |
2.5 |
120 |
0.0017 |
190 |
10 |
1652 |
175 |
TO-263 |
| SQM200N04-1M7L |
SMD |
N |
375 |
40 |
20 |
2.5 |
200 |
0.0017 |
194 |
17 |
1592 |
175 |
TO-263-7L |
| SUM120N04-1M7L |
SMD |
N |
375 |
40 |
20 |
2.5 |
120 |
0.0017 |
190 |
10 |
1652 |
175 |
TO-263 |