Транзистор AP3N2R8H

AP3N2R8H - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 158 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0028 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 63 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор AP3N2R8H можно заменить на:

Нет элементов для замены