Транзистор AP3N4R0H
AP3N4R0H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 475 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N4R0H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3N4R0J |
PTH |
N |
52 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.004 |
- |
80 |
475 |
150 |
TO-251 |
| AP3N4R0P |
PTH |
N |
52 |
30 |
20 |
3 |
80 |
0.004 |
- |
80 |
475 |
150 |
TO-220 |
| AP3N4R0S |
SMD |
N |
52 |
30 |
20 |
3 |
80 |
0.004 |
- |
80 |
475 |
150 |
TO-263 |
| QM3016AD |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.004 |
23.4 |
9.6 |
380 |
175 |
TO-252 |