Транзистор AP3N4R5H
AP3N4R5H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 59 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3N4R5H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4132 |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
85 |
0.004 |
- |
15.5 |
700 |
175 |
TO-252 |
| AOT424 |
PTH |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.004 |
- |
35.5 |
700 |
175 |
TO-220 |
| CS150N03A8 |
PTH |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
150 |
0.0035 |
75 |
20 |
940 |
175 |
TO-220AB |
| FDMC86570LET60 |
SMD |
N |
65 |
60 |
20 |
3 |
87 |
0.0043 |
- |
6.2 |
821 |
175 |
Power33 |
| PH4840S |
SMD |
N |
62.5 |
40 |
20 |
3 |
94.5 |
0.0041 |
67 |
35 |
877 |
150 |
LFPAK |
| QM3016AD |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.004 |
23.4 |
9.6 |
380 |
175 |
TO-252 |
| RU30100L |
SMD |
N |
103 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.0035 |
- |
24 |
580 |
175 |
TO-252 |
| RU30100R |
PTH |
N |
120 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.0045 |
- |
24 |
580 |
175 |
TO-220 |
| RU30106L |
SMD |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
130 |
0.003 |
- |
25 |
530 |
175 |
TO-252 |
| SUM110N03-04P |
SMD |
N |
120 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.0042 |
40 |
12 |
860 |
175 |
TO-263 |