Транзистор AP3N4R5M
AP3N4R5M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP3N4R5M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0403GM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
18.7 |
0.0045 |
- |
5 |
440 |
- |
SO-8 |
| AP3N3R3M |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
21.3 |
0.004 |
- |
9 |
475 |
- |
SO-8 |
| AP3N3R3MT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
30 |
0.0033 |
- |
9 |
475 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP3R303GMT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
31 |
0.0033 |
- |
5.5 |
440 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP3R303GMT-L |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
31 |
0.0033 |
- |
5.5 |
440 |
150 |
PMPAK5X6L |
| AP3R604GMT-L |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
3 |
29 |
0.0036 |
- |
8 |
615 |
150 |
PMPAK5X6 |
| SI7156DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
3 |
29 |
0.0035 |
- |
10 |
605 |
150 |
PowerPAKSO-8 |
| SK860317L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSO8-F4-B |