Транзистор AP3P7R0ES
AP3P7R0ES - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 59.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 140 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 590 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP3P7R0ES можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3P7R0EH |
SMD |
P |
59.5 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.007 |
- |
140 |
590 |
150 |
TO-252 |
| AP3P7R0EJB |
PTH |
P |
59.5 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.007 |
- |
140 |
590 |
150 |
TO-251S |
| AP3P7R0EP |
PTH |
P |
59.5 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.007 |
- |
140 |
590 |
150 |
TO-220 |