Справочник электронных компонентов

Транзистор AP40P03GJ-HF

AP40P03GJ-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 56 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 280 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP40P03GJ-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOD4185	SMD	P	62.5	40	20	3	40	0.015	-	20	280	175	TO-252
AOD4189	SMD	P	62.5	40	20	3	40	0.022	-	18	185	175	TO-252
AOI4185	PTH	P	62.5	40	20	3	40	0.015	-	20	280	175	TO-251A
AON6435	SMD	P	31	30	25	3	34	0.017	-	8	240	150	DFN5X6
AP40P03GH	SMD	P	31.3	30	20	3	30	0.028	-	56	280	150	TO-252
AP40P03GH-HF	SMD	P	31.3	30	20	3	30	0.028	-	56	280	150	TO-252
AP6P025H	SMD	P	62.5	60	20	3	40	0.025	-	40	240	150	TO-252
AP6P025P	PTH	P	62.5	60	20	3	40	0.025	-	40	240	150	TO-220
AP6P025S	SMD	P	62.5	60	20	3	40	0.025	-	40	240	150	TO-263
MDD3752ARH	SMD	P	50	40	20	3	43	0.017	-	10.4	233	150	TO-252
STN4189D	SMD и PTH	P	52.5	40	20	3	50	0.022	31.5	18	185	150	TO-251,TO-252