Транзистор AP40T10GP
AP40T10GP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 105 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 39 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 64 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP40T10GP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPW65R019C7 |
PTH |
N |
446 |
650 |
20 |
4 |
75 |
0.019 |
215 |
27 |
160 |
150 |
TO-247 |
| IPZ65R019C7 |
PTH |
N |
446 |
650 |
20 |
4 |
75 |
0.019 |
215 |
27 |
160 |
150 |
TO-247-4 |