Транзистор AP4430GEM
AP4430GEM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 63 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 745 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4430GEM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP9418GM |
SMD |
N |
3.6 |
35 |
20 |
- |
24 |
0.004 |
59 |
6.5 |
560 |
150 |
SO-8 |
| CSD18532Q5B |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
2.2 |
23 |
0.0032 |
44 |
7.2 |
470 |
150 |
SON5X6 |
| RJK0349DSP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
- |
20 |
0.0038 |
25 |
4.7 |
740 |
150 |
SOP-8 |
| RS1E240GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
24 |
0.0033 |
23 |
7.8 |
375 |
150 |
HSOP8 |