Транзистор AP4435GM-HF
AP4435GM-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 195 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4435GM-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4419 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
9.7 |
0.02 |
- |
5.5 |
180 |
150 |
SO-8 |
| AON3419 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.019 |
- |
5.5 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AP4835GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
- |
9.2 |
0.02 |
- |
6.6 |
195 |
150 |
SO-8 |
| AP4835GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
9.2 |
0.02 |
- |
6.6 |
195 |
150 |
SO-8 |