Транзистор AP4800AGM
AP4800AGM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 155 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4800AGM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMN4418 |
SMD |
N |
3 |
30 |
25 |
3 |
11.5 |
0.017 |
6.75 |
3.44 |
125.41 |
150 |
SO-8 |