Транзистор AP4N2R6H
AP4N2R6H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0026 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 63 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 720 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4N2R6H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4N2R6J |
PTH |
N |
104 |
40 |
20 |
5 |
75 |
0.0026 |
- |
63 |
720 |
150 |
TO-251 |
| AP4N2R6P |
PTH |
N |
104 |
40 |
20 |
5 |
130 |
0.0026 |
- |
63 |
720 |
150 |
TO-220 |
| AP4N2R6S |
SMD |
N |
104 |
40 |
20 |
5 |
150 |
0.0026 |
- |
63 |
720 |
150 |
TO-263 |