Транзистор AP4P013LES
AP4P013LES - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0145 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 128 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 370 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4P013LES можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4P012LEH |
SMD |
P |
54.3 |
40 |
20 |
3 |
51 |
0.0135 |
- |
128 |
370 |
150 |
TO-252 |
| AP4P013LEP |
PTH |
P |
54.3 |
40 |
20 |
3 |
50 |
0.0145 |
- |
128 |
370 |
150 |
TO-220 |