Транзистор AP4P016H
AP4P016H - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 285 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP4P016H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4P016P |
PTH |
P |
52 |
40 |
20 |
3 |
45 |
0.016 |
- |
58 |
285 |
150 |
TO-220 |