Транзистор AP50T03GJ
AP50T03GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 34.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 37 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP50T03GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0904GP-HF |
PTH |
N |
44.6 |
40 |
20 |
3 |
46 |
0.0115 |
- |
65 |
160 |
150 |
TO-220 |
| AP50T03GH |
SMD |
N |
34.7 |
30 |
20 |
3 |
37 |
0.016 |
- |
75 |
180 |
150 |
TO-252 |
| AP9467AGH |
SMD |
N |
39 |
40 |
20 |
3 |
43 |
0.0115 |
- |
64 |
140 |
150 |
TO-252 |
| STN4186D |
SMD и PTH |
N |
50 |
40 |
20 |
3 |
70 |
0.015 |
18 |
13 |
130 |
150 |
TO-251,TO-252 |