Справочник электронных компонентов

Транзистор AP50T10AGI

AP50T10AGI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP50T10AGI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB414	SMD	N	150	100	25	4	51	0.025	-	4	165	175	TO-263
AOD4124	SMD	N	150	100	25	4	54	0.021	-	9	164	175	TO-252
AOD4126	SMD	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-252
AOI4126	PTH	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-251A
AOT414	PTH	N	115	100	25	4	43	0.025	-	4	165	175	TO-220
BUK7631-100E	SMD	N	96	100	20	4	34	0.031	29.4	18.2	145	175	D2PAK
PSMN027-100BS	SMD	N	103	100	20	4	37	0.0268	30	11.4	115	175	D2PAK