Справочник электронных компонентов

Транзистор AP50T10GH-HF

AP50T10GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 37 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP50T10GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP50T10GJ-HF	PTH	N	89.2	100	20	-	37	0.03	42	42	190	150	TO-251
AP50T10GP-HF	PTH	N	89.2	100	20	-	37	0.03	42	42	190	150	TO-220
AP50T10GS-HF	SMD	N	89.2	100	20	-	37	0.03	42	42	190	150	TO-263
PSMN016-100BS	SMD	N	148	100	20	1	40	0.0288	40	23	189	175	D2PAK
PSMN027-100BS	SMD	N	103	100	20	4	37	0.0268	30	11.4	115	175	D2PAK