Транзистор AP50T10GI-HF
AP50T10GI-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 44 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP50T10GI-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN016-100BS |
SMD |
N |
148 |
100 |
20 |
1 |
40 |
0.0288 |
40 |
23 |
189 |
175 |
D2PAK |
| PSMN027-100BS |
SMD |
N |
103 |
100 |
20 |
4 |
37 |
0.0268 |
30 |
11.4 |
115 |
175 |
D2PAK |
| PSMN027-100XS |
PTH |
N |
41.1 |
100 |
20 |
4 |
23.4 |
0.0268 |
30 |
8.5 |
115 |
175 |
TO-220F |
| SUD35N10-26P |
SMD |
N |
83 |
100 |
20 |
4.4 |
35 |
0.026 |
31 |
10 |
180 |
175 |
TO-252 |