Транзистор AP50T10GS
AP50T10GS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 37 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP50T10GS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP50T10GH |
SMD |
N |
89.2 |
100 |
20 |
3 |
37 |
0.03 |
- |
42 |
190 |
150 |
TO-252 |
| AP50T10GJ |
PTH |
N |
89.2 |
100 |
20 |
3 |
37 |
0.03 |
- |
42 |
190 |
150 |
TO-251 |
| AP50T10GP |
PTH |
N |
89.2 |
100 |
20 |
3 |
37 |
0.03 |
- |
42 |
190 |
150 |
TO-220 |