Транзистор AP50WN1K5H
AP50WN1K5H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.55 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 34 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP50WN1K5H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB7S65 |
SMD |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-263 |
| AOB7S65L |
SMD |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-263 |
| AOD7S65 |
SMD |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-252 |
| AOI7S65 |
PTH |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-251A |
| AOU7S65 |
PTH |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-251 |
| AOW7S65 |
PTH |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-262 |
| AP50WN1K5P |
PTH |
N |
50 |
500 |
30 |
4 |
5 |
1.55 |
- |
17 |
34 |
150 |
TO-220 |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |